14A, 100V, 0.160 Ohm, N-Channel Power MOSFETs The IRF530 is an N-channel power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 17A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 68A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.11Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 190pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Description:**  
The IRF530 is a high-speed switching MOSFET designed for power applications. It features low on-resistance, fast switching speeds, and high current handling capability, making it suitable for switching power supplies, motor control, and amplifier circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (100V)**  
- **Low On-Resistance (0.11Ω max @ V_GS = 10V)**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-220 Package for Easy Mounting**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.