IRFS830A

Advanced Power MOSFET The IRFS830A is a power MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Fairchild Semiconductor (now ON Semiconductor)  
- **Part Number:** IRFS830A  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 20pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typ)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typ)  
- **Fall Time (t_f):** 30ns (typ)  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- The IRFS830A is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for switching applications.  
- It is suitable for power supplies, motor control, and other high-voltage circuits.  
- The TO-220AB package provides efficient thermal performance.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 500V V_DSS rating.  
- **Low Gate Charge:** Optimized for fast switching.  
- **Low On-Resistance:** Reduces conduction losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive switching.  
- **Improved dv/dt Capability:** Better noise immunity.  

This information is based on Fairchild's datasheet for the IRFS830A. For detailed performance curves and application notes, refer to the official documentation.

Advanced Power MOSFET