POWER MOSFET The IRF830 is a power MOSFET manufactured by various semiconductor companies. Below are the factual specifications, descriptions, and features based on standard industry data:

### **Manufacturer:**  
- Multiple manufacturers produce the IRF830, including International Rectifier (now part of Infineon Technologies), Vishay, STMicroelectronics, and others.

### **SEC (Standard Electrical Characteristics) Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 500V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.5A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 18A  
- **Power Dissipation (P_D):** 75W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (at V_GS = 10V, I_D = 2.2A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 350pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 50pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  

### **Descriptions & Features:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Package:** TO-220 (through-hole)  
- **Technology:** HEXFET® (for International Rectifier versions)  
- **Applications:**  
  - Switching power supplies  
  - Motor control  
  - DC-DC converters  
  - Inverters  
  - High-voltage switching circuits  
- **Key Features:**  
  - Fast switching speed  
  - Low gate charge  
  - High voltage capability  
  - Avalanche ruggedness  
  - Low thermal resistance  

The specifications may vary slightly depending on the manufacturer. Always refer to the datasheet for exact values.