250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package The IRFI634G is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **IRFI634G Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 9.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 39A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.28Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Gate Charge (Q_g):** 38nC (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1000pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 300pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 60pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFI634G is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for high-efficiency power conversion.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (250V)**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-220AB Package**  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet. For detailed performance curves and application notes, refer to the official IRFI634G datasheet.

250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package