IRFF210

200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package The IRFF210 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR), now part of Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **HAR (Harris Semiconductor / International Rectifier, now Infineon Technologies)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.1A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8.4A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 25W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2–4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 100pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Voltage Capability:** 200V V_DSS rating for medium-power switching applications.  
- **Low Gate Charge:** Enables fast switching performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load applications.  
- **Improved dv/dt Capability:** Enhanced resistance to voltage transients.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and general-purpose switching circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package