200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package The IRFF210 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR), now part of Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
- **HAR (Harris Semiconductor / International Rectifier, now Infineon Technologies)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.1A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8.4A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 25W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2–4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 100pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Voltage Capability:** 200V V_DSS rating for medium-power switching applications.  
- **Low Gate Charge:** Enables fast switching performance.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load applications.  
- **Improved dv/dt Capability:** Enhanced resistance to voltage transients.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and general-purpose switching circuits.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package

200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package The IRFF210 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features from the manufacturer's datasheet:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  
### **Part Number:** IRFF210  

### **Key Specifications:**  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1.7A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 6.8A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 20W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 5Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 50pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 15pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 25ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 15ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typical)  

### **Package:**  
- **TO-220AB** (Through-Hole Mounting)  

### **Features:**  
- High voltage capability (200V)  
- Fast switching speed  
- Low gate charge  
- Low on-resistance  
- Avalanche energy rated  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- General-purpose power switching  

This information is sourced from the manufacturer's datasheet. For detailed electrical characteristics and performance curves, refer to the official documentation.

200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package

200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package The IRFF210 is a power MOSFET manufactured by **Intersil** (now part of **Renesas Electronics**). Below are the key specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Intersil (now Renesas Electronics)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 2.1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 8.4A  
- **Power Dissipation (P_D):** 25W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 100pF (typical)  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions:**  
- The IRFF210 is designed for **medium-power switching applications** such as power supplies, motor control, and inverters.  
- It features **low gate charge** for fast switching performance.  
- The **TO-220 package** provides good thermal dissipation.  

### **Features:**  
- **High voltage capability (200V)**  
- **Low on-resistance** for efficient power handling  
- **Fast switching speed**  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness  
- **Standard pin configuration (TO-220AB)**  

For exact datasheet details, refer to the manufacturer’s documentation from **Renesas Electronics** (successor to Intersil).

200V Single N-Channel Hi-Rel MOSFET in a TO-205AF package