N-channel enhancement-mode power field-effect transistor. Drain-sourge voltage 200V. Continuous drain current(at Tc 25deg) 30A. The IRF250 is a power MOSFET manufactured by **International Rectifier (IOR)**. Below are its key specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 200V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 30A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 120A  
- **Power Dissipation (P_D):** 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.085Ω (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 1800pF  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
- The IRF250 is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications.  
- It is housed in a **TO-247 package**, providing efficient thermal performance.  
- Suitable for power supplies, motor control, and inverters.  

### **Features:**  
- **Fast switching speed** for improved efficiency.  
- **Low on-resistance** for reduced conduction losses.  
- **Avalanche energy rated** for ruggedness in harsh conditions.  
- **High current handling capability** for power applications.  

For exact performance details, refer to the official **IOR datasheet**.