N-channel enhancement-mode power field-effect transistor. Drain-sourge voltage 60V. Continuous drain current 3.0A. The IRFF113 is a power MOSFET manufactured by Harris (now part of Intersil). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Specifications:**
- **Manufacturer:** Harris  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32A  
- **Power Dissipation (P_D):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.4Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2V to 4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 300pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 25ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**
- Designed for high-speed switching applications.  
- Low gate charge for improved efficiency.  
- Rugged and reliable construction for industrial and power applications.  
- Suitable for use in power supplies, motor control, and amplifiers.  
- TO-220AB package for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.