200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a HEXDIP package The IRFD210 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:**  
- **International Rectifier (IR)**  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1.1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 4.4A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 35pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 10pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns  
- **Rise Time (t_r):** 15ns  
- **Fall Time (t_f):** 20ns  

### **Package:**  
- **TO-252 (DPAK)**  

### **Features:**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge**  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **High Input Impedance**  

### **Applications:**  
- **Switching Regulators**  
- **DC-DC Converters**  
- **Motor Control**  
- **Power Management Circuits**  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a HEXDIP package