600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRFBC30S is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Description:**  
The IRFBC30S is an N-channel power MOSFET designed for high-speed switching applications. It is optimized for efficiency and reliability in power conversion circuits.  

### **Key Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.1A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 12A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 2.7Ω (max at V_GS = 10V)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 120pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 25pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  

### **Features:**  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed power switching applications.  
- **Low Gate Charge:** Reduces switching losses.  
- **Avalanche Energy Rated:** Enhances ruggedness in inductive load applications.  
- **Low On-Resistance:** Improves efficiency in power conversion.  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal performance.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.