600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFBC30 is a power MOSFET manufactured by International Rectifier (now part of Infineon Technologies). Below are its key specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.1A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 12A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 55ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRFBC30 is an N-channel MOSFET designed for high-voltage, fast-switching applications. It is commonly used in power supplies, motor control, and other high-efficiency switching circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V drain-source voltage rating.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed performance.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures ruggedness in inductive load applications.  
- **TO-220 Package:** Provides good thermal performance and ease of mounting.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.