N-CHANNEL 600V The STP4NC60FP is a Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 16A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3V (min), 5V (max)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 400pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 60pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 15pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to 150°C  

### **Description:**  
The STP4NC60FP is an N-channel Power MOSFET designed for high-voltage, high-speed switching applications. It is built using STMicroelectronics' proprietary MDmesh™ technology, which ensures low on-resistance and improved switching performance.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability (600V)**  
- **Low Gate Charge**  
- **Low Input and Output Capacitance**  
- **Fast Switching Speed**  
- **Avalanche Energy Specified**  
- **Improved dv/dt Capability**  
- **TO-220FP (Fully Insulated) Package**  

This MOSFET is commonly used in power supplies, motor control, lighting, and other high-voltage switching applications.  

(Note: All values are based on the manufacturer's datasheet.)

N-CHANNEL 600V