IRFBC30A

600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFBC30A is a power MOSFET manufactured by FAIRCHILD. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 3.1A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 12A  
- **Power Dissipation (P_D):** 38W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 3.0Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 150pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 30pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 10pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 15ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 40ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 60ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 25ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Description:**  
The IRFBC30A is an N-channel power MOSFET designed for high-voltage, fast-switching applications. It is commonly used in power supplies, motor control, and other high-efficiency switching circuits.  

### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 600V rating for robust performance in high-voltage applications.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed switching with low gate charge.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Avalanche Energy Specified:** Ensures reliability under inductive load conditions.  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation.  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

600V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package