-100V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF9530N is a P-channel Power MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Manufacturer:** International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -12A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -48A  
- **Power Dissipation (P_D):** 88W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.30Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -2V to -4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 720pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 180pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 14ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 44ns  
- **Rise Time (t_r):** 45ns  
- **Fall Time (t_f):** 30ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The IRF9530N is a P-channel MOSFET designed for high-power switching applications. It is part of IR’s HEXFET® power MOSFET family, which provides efficient power management and low on-state resistance.  

### **Features:**  
- Advanced process technology for low on-resistance  
- High current handling capability  
- Fast switching speed  
- Improved dv/dt capability  
- 100% avalanche tested  
- Lead-free and RoHS compliant  

### **Package:** TO-220AB (Through-Hole)  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.