100V P-Channel MOSFET The FQP17P10 is a P-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -100V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -17A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -68A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 150W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.1Ω (max) at V_GS = -10V, I_D = -8.5A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -2V to -4V  
- **Gate Charge (Q_g)**: 60nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-220  

These specifications are based on Fairchild's datasheet for the FQP17P10.

100V P-Channel MOSFET The FQP17P10 is a P-channel MOSFET manufactured by Fairchild Semiconductor (now part of ON Semiconductor). Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -100V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -17A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -68A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 75W (at 25°C)  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.28Ω (at V_GS = -10V, I_D = -8.5A)  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -2V to -4V  
- **Total Gate Charge (Q_g)**: 40nC (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: TO-220  

This MOSFET is designed for high-voltage, high-speed switching applications.