300V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRF737LC is a dual N-channel MOSFET manufactured by International Rectifier (IR). Below are the factual details about its specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
International Rectifier (IR)  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 4.3A per MOSFET  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 17A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (per MOSFET)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.065Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 330pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 100pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 50pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 30ns (typical)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The IRF737LC is a dual N-channel MOSFET in a compact SOIC-8 package. It is designed for high-efficiency switching applications, such as power management, DC-DC converters, and motor control.  

### **Features:**  
- **Dual N-Channel MOSFET:** Two independent MOSFETs in a single package.  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses.  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications.  
- **Logic-Level Gate Drive:** Compatible with 5V drive signals.  
- **Low Gate Charge:** Enhances switching efficiency.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.