250V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D2-Pak package The IRF634NS is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Description:**  
The IRF634NS is an N-channel MOSFET designed for high-speed switching applications. It is part of the HEXFET® Power MOSFET series, which provides efficient power handling and low on-state resistance.  

### **Key Features:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 250V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8.1A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 32A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.55Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Gate Charge (Q_g):** 18nC (typical)  
- **Low Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typical)  
- **Avalanche Energy Rated**  
- **TO-220AB Package**  

### **Applications:**  
- Switching power supplies  
- Motor control  
- DC-DC converters  
- High-frequency inverters  

This MOSFET is optimized for high efficiency and reliability in power management applications.