IPB12CN10NG

OptiMOS?2 Power-Transistor Features N-channel, normal level Very low on-resistance R DS The IPB12CN10NG is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Infineon Technologies  
- **Part Number:** IPB12CN10NG  
- **Transistor Type:** N-Channel MOSFET  
- **Technology:** OptiMOS™  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100 V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 12 A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 48 A  
- **Power Dissipation (P_D):** 48 W  
- **R_DS(on) (Max):** 0.12 Ω (at V_GS = 10 V)  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20 V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 3 V (typical)  
- **Package:** TO-263 (D2PAK)  

### **Descriptions & Features:**  
- **High Efficiency:** Optimized for low conduction and switching losses.  
- **Low R_DS(on):** Ensures minimal power dissipation.  
- **Fast Switching:** Suitable for high-frequency applications.  
- **Avalanche Rated:** Robust performance under high-energy conditions.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Environmentally friendly.  
- **Applications:** Used in power supplies, motor control, DC-DC converters, and other high-efficiency switching applications.  

This information is based solely on Infineon's datasheet and product documentation.

OptiMOS?2 Power-Transistor Features N-channel, normal level Very low on-resistance R DS