100V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220AB package The IRFB4110PBF is a Power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Below are the key specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
Infineon Technologies  

### **Specifications:**  
- **Technology:** N-Channel HEXFET Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 180A @ 25°C  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 720A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 580W @ 25°C  
- **R_DS(on) (Max):** 3.7mΩ @ V_GS = 10V  
- **R_DS(on) (Max):** 4.5mΩ @ V_GS = 4.5V  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 210nC  
- **Input Capacitance (C_iss):** 7200pF  
- **Output Capacitance (C_oss):** 1200pF  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 150pF  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 30ns  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 110ns  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220AB  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Low on-resistance for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance.  
- High current handling capability.  
- Robust and reliable for industrial and automotive applications.  
- Avalanche energy specified for ruggedness.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.