N-CHANNEL 100V The STP60NF10 is an N-channel Power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 60A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 240A  
- **Power Dissipation (P_D):** 280W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.018Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 3000pF (typ)  
- **Total Gate Charge (Q_g):** 120nC (typ)  
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +175°C  

### **Description:**  
The STP60NF10 is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. It features low on-resistance, high current capability, and fast switching speeds, making it suitable for power supplies, motor control, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance (R_DS(on))** for reduced conduction losses.  
- **High Current Handling** (60A continuous, 240A pulsed).  
- **Fast Switching Performance** for efficient power conversion.  
- **Avalanche Energy Specified** for ruggedness in inductive load applications.  
- **TO-220 Package** for easy mounting and heat dissipation.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet.

N-CHANNEL 100V