- **Type**: N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: 400V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 11A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 44A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 150W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.45Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 3V (min), 5V (max)  
- **Input Capacitance (C_iss)**: 1200pF (typ)  
- **Output Capacitance (C_oss)**: 300pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 50pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on))**: 15ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off))**: 60ns (typ)  
- **Package**: TO-220F  

These are the factual specifications provided in Ic-phoenix technical data files.

The **HFP11N40** is a high-performance N-channel MOSFET designed for power switching applications. With a voltage rating of **400V** and a continuous drain current capability of **11A**, this component is well-suited for use in power supplies, motor control, and energy-efficient inverters.  

Built using advanced semiconductor technology, the HFP11N40 offers low **on-resistance (RDS(on))** and fast switching speeds, contributing to reduced power losses and improved efficiency in high-frequency circuits. Its robust construction ensures reliable operation under demanding conditions, making it a preferred choice for industrial and automotive applications.  

Key features of the HFP11N40 include a **low gate charge**, which enhances switching performance, and a **high avalanche energy rating**, providing added durability in transient voltage scenarios. The component is housed in a TO-220 package, facilitating easy mounting and heat dissipation.  

Engineers and designers often select the HFP11N40 for its balance of performance, thermal stability, and cost-effectiveness. Whether used in switch-mode power supplies (SMPS) or DC-DC converters, this MOSFET delivers consistent performance, making it a dependable solution for modern electronic systems.