10A, 400V, 0.550 Ohm, N-Channel Power MOSFET The IRF740 is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (ST). Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:
### **Specifications:**
- **Manufacturer:** STMicroelectronics (ST)  
- **Type:** N-Channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 400V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 10A (at 25°C)  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 40A  
- **Power Dissipation (PD):** 125W (at 25°C)  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 0.55Ω (max) at VGS = 10V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2-4V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1400pF (typ)  
- **Output Capacitance (Coss):** 350pF (typ)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 85pF (typ)  
- **Turn-On Delay Time (td(on)):** 10ns (typ)  
- **Rise Time (tr):** 30ns (typ)  
- **Turn-Off Delay Time (td(off)):** 50ns (typ)  
- **Fall Time (tf):** 20ns (typ)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  
### **Description:**  
The IRF740 is a high-voltage N-Channel MOSFET designed for fast switching and high-efficiency power applications. It is commonly used in power supplies, motor control, inverters, and other high-voltage switching circuits.
### **Features:**  
- **High Voltage Capability:** 400V VDS rating  
- **Low On-Resistance:** Minimizes conduction losses  
- **Fast Switching Speed:** Optimized for high-frequency applications  
- **Avalanche Energy Specified:** Enhances ruggedness in inductive load switching  
- **Improved dv/dt Capability:** Reduces spurious triggering risks  
- **TO-220 Package:** Provides efficient thermal dissipation  
This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.