NPN Silicon Epitaxial Power Transistor The 2SD1163A is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by HIT (Hitachi). Below are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 150V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 150V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Collector Dissipation (PC)**: 20W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = 5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 30MHz (at IC = 0.5A, VCE = 5V, f = 100MHz)
- **Package**: TO-220

These specifications are based on the manufacturer's datasheet for the 2SD1163A transistor.

NPN Silicon Epitaxial Power Transistor The 2SD1163A is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by HITACHI. Here are its key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 60V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 1.5A
- **Total Power Dissipation (PT)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 60 to 320 (at IC = 0.5A, VCE = 5V)
- **Transition Frequency (fT)**: 120MHz (at IC = 0.5A, VCE = 5V, f = 100MHz)
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for the 2SD1163A transistor and are used in various amplification and switching applications.