Leaded Power Transistor General Purpose The BD137 is an NPN transistor manufactured by ON Semiconductor. Here are its key specifications:  

- **Type**: NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package**: TO-126 (also available in SOT-32)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: 45V  
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: 45V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: 5V  
- **Collector Current (I_C)**: 1.5A (continuous)  
- **Power Dissipation (P_tot)**: 12.5W (at 25°C)  
- **DC Current Gain (h_FE)**: 25 to 250 (depending on operating conditions)  
- **Transition Frequency (f_T)**: 190MHz  
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +150°C  

The BD137 is commonly used in medium-power amplification and switching applications.