Leaded Power Transistor General Purpose The 2N4922 is a PNP silicon transistor manufactured by ON Semiconductor. Below are the key specifications:

- **Type**: PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)
- **Package**: TO-39 metal can
- **Collector-Emitter Voltage (V_CEO)**: -60 V
- **Collector-Base Voltage (V_CBO)**: -60 V
- **Emitter-Base Voltage (V_EBO)**: -5.0 V
- **Collector Current (I_C)**: -1.0 A
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.0 W
- **DC Current Gain (h_FE)**: 40 to 120 (at I_C = 150 mA, V_CE = -1.0 V)
- **Transition Frequency (f_T)**: 50 MHz
- **Operating Temperature Range**: -65°C to +200°C

These specifications are based on the datasheet provided by ON Semiconductor.