Small-signal device The 2SD1119 is a transistor manufactured by 长电 (Changjiang Electronics). It is an NPN silicon epitaxial planar type transistor, commonly used in amplification and switching applications. Key specifications include:

- **Collector-Base Voltage (VCBO):** 60V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** 50V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** 5V
- **Collector Current (IC):** 2A
- **Collector Power Dissipation (PC):** 1W
- **DC Current Gain (hFE):** 60-320
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C

The transistor is typically packaged in a TO-92 or similar small plastic package.

Small-signal device The 2SD1119 is a silicon NPN epitaxial planar transistor manufactured by Panasonic. Here are the key specifications:

- **Type**: NPN
- **Material**: Silicon
- **Structure**: Epitaxial Planar
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 60V
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 80V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 5V
- **Collector Current (IC)**: 2A
- **Collector Dissipation (PC)**: 1W
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Storage Temperature (Tstg)**: -55°C to +150°C
- **DC Current Gain (hFE)**: 120 to 400
- **Transition Frequency (fT)**: 150MHz
- **Package**: TO-92

These specifications are typical for the 2SD1119 transistor as provided by Panasonic.