For Low Frequency Amplify Application Silicon NPN Epitaxial Type The 2SC5814 is a high-frequency transistor manufactured by Mitsubishi. Here are the factual specifications from Ic-phoenix technical data files:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Application**: Designed for high-frequency amplification, particularly in VHF/UHF bands.
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 50mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 200mW
- **Transition Frequency (fT)**: 6GHz (typical)
- **Noise Figure (NF)**: 1.5dB (typical at 1GHz)
- **Gain (hFE)**: 20 to 100
- **Package**: SOT-23 (small surface-mount package)
- **Operating Temperature Range**: -55°C to +150°C

These specifications are based on the manufacturer's datasheet and are subject to standard operating conditions.