**Part Number:** KSC2383  

### **Specifications:**  
- **Type:** NPN Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Collector-Emitter Voltage (V_CE):** 160V  
- **Collector-Base Voltage (V_CB):** 160V  
- **Emitter-Base Voltage (V_EB):** 5V  
- **Collector Current (I_C):** 1A  
- **Power Dissipation (P_D):** 0.9W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 100-320 (at I_C = 0.1A, V_CE = 5V)  
- **Transition Frequency (f_T):** 50MHz  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions and Features:**  
- High-voltage NPN transistor designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- Suitable for use in power amplifiers, voltage regulators, and driver circuits.  
- Low saturation voltage for improved efficiency in switching applications.  
- TO-92 package for easy mounting and prototyping.  
- RoHS compliant (lead-free).  

(Note: Always verify datasheet details for exact specifications in your application.)