Medium power transistor (60V, 2A) The 2SC5866 is a high-frequency transistor manufactured by ROHM. Below are the key specifications:

- **Type**: NPN Silicon Epitaxial Planar Transistor
- **Application**: High-frequency amplification
- **Collector-Base Voltage (VCBO)**: 30V
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO)**: 15V
- **Emitter-Base Voltage (VEBO)**: 3V
- **Collector Current (IC)**: 100mA
- **Total Power Dissipation (PT)**: 200mW
- **Junction Temperature (Tj)**: 150°C
- **Transition Frequency (fT)**: 5.5GHz
- **Noise Figure (NF)**: 1.2dB (typical at 1GHz)
- **Gain (hFE)**: 20 to 200
- **Package**: SOT-323

These specifications are based on typical operating conditions and may vary slightly depending on specific use cases.