200V Fast Recovery Diode in a TO-220AC package The part 20ETF02 is manufactured by Vishay Semiconductors. It is a high-speed infrared emitter diode designed for applications requiring high radiant intensity and fast switching times. The device operates at a peak wavelength of 850 nm, which is typical for infrared emitters. It has a forward voltage of 1.5 V and a forward current of 100 mA. The radiant intensity is 20 mW/sr at a forward current of 100 mA. The device is encapsulated in a clear, non-diffused package, which is suitable for surface-mount technology (SMT). The operating temperature range for the 20ETF02 is from -40°C to +85°C.