129NQ135Manufacturer: IR 135V 120A Schottky Discrete Diode in a D-67 HALF-Pak package | |||
Partnumber | Manufacturer | Quantity | Availability |
---|---|---|---|
129NQ135 | IR | 8 | In Stock |
Description and Introduction
135V 120A Schottky Discrete Diode in a D-67 HALF-Pak package The **129NQ135** from **International Rectifier** is a high-performance **IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)** module designed for demanding power electronics applications. Known for its efficiency and reliability, this component is widely used in industrial motor drives, renewable energy systems, and power conversion circuits.  
Featuring a **1350V voltage rating**, the 129NQ135 offers robust performance in high-voltage environments while maintaining low conduction and switching losses. Its advanced semiconductor technology ensures optimal thermal management, making it suitable for applications requiring continuous operation under heavy loads.   The module integrates **NPT (Non-Punch Through) IGBT technology**, which enhances its ruggedness and efficiency in high-power switching scenarios. Additionally, its co-packaged diode provides fast recovery characteristics, reducing power dissipation and improving system reliability.   Engineers favor the 129NQ135 for its **high current-handling capability**, precise switching behavior, and compact form factor. Whether used in inverters, UPS systems, or industrial automation, this IGBT module delivers consistent performance under varying load conditions.   With stringent quality standards and proven durability, the 129NQ135 remains a trusted choice for power electronics designers seeking a balance of efficiency, power density, and long-term reliability. |
For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]
Specializes in hard-to-find components chips