SCHOTTKY RECTIFIER The **123NQ090** from International Rectifier is a high-performance N-channel MOSFET designed for demanding power management applications. This component is part of the HEXFET® Power MOSFET series, known for its efficiency, reliability, and robust thermal performance.  

With a **900V drain-source voltage (V_DSS)** rating and a **low on-resistance (R_DS(on))**, the 123NQ090 is optimized for high-voltage switching in industrial, automotive, and renewable energy systems. Its fast switching characteristics minimize power losses, making it suitable for inverters, motor drives, and switch-mode power supplies.  

The device features **low gate charge (Q_G)** and **high avalanche energy capability**, ensuring stable operation under transient conditions. Encased in a TO-247 package, it provides excellent thermal dissipation, enhancing long-term durability in high-power environments.  

Engineers favor the 123NQ090 for its balance of performance and ruggedness, making it a dependable choice for applications requiring high voltage tolerance and efficient power handling. Its design aligns with industry standards, ensuring compatibility with modern circuit topologies while maintaining operational safety and efficiency.  

For detailed specifications, consult the manufacturer’s datasheet to verify suitability for specific design requirements.