60V 1.5A Schottky Discrete Diode in a SMA package The 10MQ060N is a part manufactured by International Rectifier (IR). It is a 600V, 10A N-channel IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor). Key specifications include:

- **Voltage Rating (V_CES):** 600V
- **Current Rating (I_C):** 10A
- **Power Dissipation (P_D):** 150W
- **Gate-Emitter Voltage (V_GE):** ±20V
- **Collector-Emitter Saturation Voltage (V_CE(sat)):** 2.1V (typical) at 10A
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 20ns (typical)
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 150ns (typical)
- **Operating Junction Temperature (T_J):** -55°C to +150°C

These specifications are based on the datasheet provided by International Rectifier.