IC Phoenix logo

Home ›  1  › 13 > 10BQ060

10BQ060 from IR,International Rectifier

Fast Delivery, Competitive Price @IC-phoenix

If you need more electronic components or better pricing, we welcome any inquiry.

0.000ms

10BQ060

Manufacturer: IR

60V 1A Schottky Discrete Diode in a SMB package

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
10BQ060 IR 55000 In Stock

Description and Introduction

60V 1A Schottky Discrete Diode in a SMB package The **10BQ060** from International Rectifier is a high-performance Schottky diode designed for efficient power management in modern electronic circuits. As part of the **10BQ series**, this component features a low forward voltage drop and fast switching capabilities, making it ideal for applications requiring minimal power loss and high-speed operation.  

With a **60V reverse voltage rating** and a **1A average forward current**, the 10BQ060 is well-suited for use in DC-DC converters, switching power supplies, and reverse polarity protection circuits. Its Schottky barrier construction ensures reduced switching noise and improved thermal performance compared to conventional PN-junction diodes.  

The diode is housed in a compact **SOD-123 package**, providing a balance between space efficiency and heat dissipation. Its robust design ensures reliability in demanding environments, while its lead-free and RoHS-compliant construction aligns with modern environmental standards.  

Engineers and designers often select the 10BQ060 for its efficiency in high-frequency applications, where minimizing energy loss is critical. Whether used in consumer electronics, industrial systems, or automotive applications, this diode delivers consistent performance with low leakage current and high surge current capability.  

For those seeking a dependable Schottky diode with optimized power handling, the **10BQ060** remains a strong choice in its class.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
10BQ060 IRF 100000 In Stock

Description and Introduction

60V 1A Schottky Discrete Diode in a SMB package The IRF 10BQ060 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are the key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (VDS)**: 60V
- **Continuous Drain Current (ID)**: 10A
- **Pulsed Drain Current (IDM)**: 40A
- **Power Dissipation (PD)**: 38W
- **Gate-Source Voltage (VGS)**: ±20V
- **On-Resistance (RDS(on))**: 0.045Ω (max) at VGS = 10V
- **Threshold Voltage (VGS(th))**: 2V to 4V
- **Input Capacitance (Ciss)**: 600pF (typ)
- **Output Capacitance (Coss)**: 150pF (typ)
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss)**: 50pF (typ)
- **Package**: TO-252 (DPAK)

These specifications are based on typical operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environment.

Request Quotation

For immediate assistance, call us at +86 533 2716050 or email [email protected]

Part Number Quantity Target Price($USD) Email Contact Person
We offer highly competitive channel pricing. Get in touch for details.

Specializes in hard-to-find components chips