60V 1A Schottky Discrete Diode in a SMB package The **10BQ060** from International Rectifier is a high-performance Schottky diode designed for efficient power management in modern electronic circuits. As part of the **10BQ series**, this component features a low forward voltage drop and fast switching capabilities, making it ideal for applications requiring minimal power loss and high-speed operation.  

With a **60V reverse voltage rating** and a **1A average forward current**, the 10BQ060 is well-suited for use in DC-DC converters, switching power supplies, and reverse polarity protection circuits. Its Schottky barrier construction ensures reduced switching noise and improved thermal performance compared to conventional PN-junction diodes.  

The diode is housed in a compact **SOD-123 package**, providing a balance between space efficiency and heat dissipation. Its robust design ensures reliability in demanding environments, while its lead-free and RoHS-compliant construction aligns with modern environmental standards.  

Engineers and designers often select the 10BQ060 for its efficiency in high-frequency applications, where minimizing energy loss is critical. Whether used in consumer electronics, industrial systems, or automotive applications, this diode delivers consistent performance with low leakage current and high surge current capability.  

For those seeking a dependable Schottky diode with optimized power handling, the **10BQ060** remains a strong choice in its class.

60V 1A Schottky Discrete Diode in a SMB package# Technical Documentation: 10BQ060 Schottky Barrier Rectifier

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The 10BQ060 is a 60V, 1A Schottky barrier rectifier primarily employed in  high-frequency switching applications  where low forward voltage drop and fast recovery characteristics are critical. Common implementations include:

-  Switch-mode power supply (SMPS) output rectification  in DC-DC converters
-  Freewheeling diode applications  in buck/boost converter topologies
-  Reverse polarity protection  circuits in portable electronics
-  OR-ing diode  in power multiplexing configurations
-  Clamping diode  for inductive load transient suppression

### Industry Applications
 Consumer Electronics : 
- Smartphone power management ICs (PMICs)
- Tablet and laptop DC-DC conversion stages
- USB-PD compliant charger circuits
- LED driver modules

 Automotive Systems :
- Infotainment system power supplies
- LED lighting drivers
- Sensor interface power conditioning
- Body control module circuits

 Industrial Equipment :
- PLC I/O module protection
- Motor drive auxiliary circuits
- Industrial sensor power supplies
- Test and measurement equipment

 Telecommunications :
- Base station power distribution
- Network switch power circuits
- Fiber optic transceiver modules

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages :
-  Low forward voltage drop  (typically 0.42V @ 1A) reduces power dissipation
-  Fast switching capability  (negligible reverse recovery time) enables high-frequency operation
-  High temperature operation  (up to 150°C junction temperature)
-  Low leakage current  improves system efficiency
-  Surge current withstand  capability (30A peak)

 Limitations :
-  Voltage rating constraint  (60V maximum) limits high-voltage applications
-  Thermal performance  requires adequate heatsinking at maximum current
-  Reverse leakage current  increases significantly with temperature
-  Avalanche energy rating  not specified - requires external protection

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Thermal Management Issues :
-  Pitfall : Inadequate thermal design causing junction temperature exceedance
-  Solution : Implement proper PCB copper area (≥ 1.5 in²) and consider thermal vias

 Voltage Transient Protection :
-  Pitfall : Unprotected operation in inductive circuits causing voltage spikes
-  Solution : Incorporate snubber circuits or TVS diodes for voltage clamping

 Current Sharing in Parallel Configurations :
-  Pitfall : Unequal current distribution when paralleling multiple devices
-  Solution : Use individual series resistors or select matched devices

 Layout-Induced EMI :
-  Pitfall : High di/dt loops generating electromagnetic interference
-  Solution : Minimize loop area and implement proper grounding

### Compatibility Issues with Other Components

 Gate Driver Circuits :
- Compatible with most MOSFET/IGBT drivers (TC4427, IR2110, etc.)
- Ensure driver output voltage exceeds Schottky forward voltage

 Controller ICs :
- Works well with common PWM controllers (UC384x, LTspice, etc.)
- Verify controller frequency limits match diode switching capability

 Passive Components :
-  Capacitors : Low-ESR ceramic/polymer capacitors recommended
-  Inductors : Consider saturation current and core losses
-  Resistors : Precision current sense resistors for current monitoring

### PCB Layout Recommendations

 Power Stage Layout :
- Place diode close to switching node to minimize parasitic inductance
- Use wide, short traces for high-current paths
- Implement ground plane for improved thermal and EMI performance

 Thermal Management :
- Provide adequate copper area for heatsinking (minimum 1.5 in²)

60V 1A Schottky Discrete Diode in a SMB package The IRF 10BQ060 is a power MOSFET manufactured by Infineon Technologies. Here are the key specifications:

- **Type**: N-Channel MOSFET
- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: 60V
- **Continuous Drain Current (I_D)**: 10A
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: 40A
- **Power Dissipation (P_D)**: 38W
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 0.045Ω (max) at V_GS = 10V
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: 2V to 4V
- **Input Capacitance (C_iss)**: 600pF (typ)
- **Output Capacitance (C_oss)**: 150pF (typ)
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss)**: 50pF (typ)
- **Package**: TO-252 (DPAK)

These specifications are based on typical operating conditions and may vary slightly depending on the specific application and environment.

60V 1A Schottky Discrete Diode in a SMB package# Technical Documentation: 10BQ060 Schottky Barrier Rectifier

## 1. Application Scenarios

### Typical Use Cases
The 10BQ060 is a 60V, 1A Schottky barrier rectifier primarily employed in  high-frequency switching applications  where low forward voltage drop and fast recovery characteristics are critical. Common implementations include:

-  Switch-mode power supply (SMPS) output rectification  in DC-DC converters
-  Freewheeling diode applications  in buck, boost, and flyback converters
-  Reverse polarity protection circuits  in portable electronic devices
-  OR-ing diode configurations  in redundant power systems
-  Clamping circuits  for inductive load switching

### Industry Applications
 Consumer Electronics : 
- Smartphone charging circuits and power management units
- Laptop DC-DC conversion stages
- Tablet power distribution systems

 Automotive Electronics :
- LED lighting driver circuits
- Infotainment system power supplies
- ECU power conditioning modules

 Industrial Systems :
- PLC power supply units
- Motor drive circuits
- Industrial control system power rails

 Telecommunications :
- Network equipment power supplies
- Base station power distribution
- Telecom rectifier systems

### Practical Advantages and Limitations

 Advantages :
-  Low forward voltage drop  (typically 0.38V at 1A, 25°C) reduces power dissipation
-  Fast switching capability  with negligible reverse recovery time minimizes switching losses
-  High temperature operation  up to 150°C junction temperature
-  Low leakage current  enhances efficiency in standby modes
-  Surge current handling  of 25A (8.3ms single half sine-wave)

 Limitations :
-  Voltage rating constraint  (60V) limits use in higher voltage applications
-  Thermal considerations  require proper heatsinking at maximum current ratings
-  Reverse leakage current  increases significantly with temperature
-  Avalanche energy rating  is not specified, requiring external protection in inductive circuits

## 2. Design Considerations

### Common Design Pitfalls and Solutions

 Thermal Management Issues :
-  Pitfall : Inadequate heatsinking leading to thermal runaway
-  Solution : Implement proper thermal vias, copper pours, and consider derating above 100°C

 Voltage Spikes :
-  Pitfall : Voltage transients exceeding 60V rating
-  Solution : Incorporate snubber circuits or TVS diodes for voltage clamping

 PCB Layout Problems :
-  Pitfall : Long trace lengths increasing parasitic inductance
-  Solution : Minimize loop area and place components close to switching nodes

### Compatibility Issues with Other Components

 MOSFET Compatibility :
- Ensure synchronous MOSFETs have compatible switching characteristics
- Match rise/fall times to prevent shoot-through in synchronous rectifier applications

 Controller IC Considerations :
- Verify controller maximum frequency compatibility with diode recovery characteristics
- Ensure proper gate drive voltage margins for associated switching components

 Capacitor Selection :
- Use low-ESR capacitors to handle high-frequency ripple current
- Consider ceramic capacitors for high-frequency decoupling near the diode

### PCB Layout Recommendations

 Power Path Routing :
- Use minimum 20mil trace width for 1A current carrying capability
- Implement copper pours for improved thermal dissipation
- Maintain short, direct paths between diode and associated components

 Thermal Management :
- Include multiple thermal vias under the device package
- Provide adequate copper area (minimum 1cm²) for heat spreading
- Consider thermal relief patterns for manufacturability

 EMI Reduction :
- Minimize loop areas in high-frequency switching paths
- Place input/output capacitors close to diode terminals
- Use ground planes for noise suppression

 Component Placement :
- Position diode close to switching MOSFET