30V 1A Schottky Discrete Diode in a SMB package The part 10BQ030 is a Schottky diode manufactured by Vishay. According to the manufacturer's specifications, the following are the key IR (Infrared) related details:

- **Forward Voltage (VF):** Typically 0.38V at 1A.
- **Reverse Voltage (VR):** 30V.
- **Reverse Current (IR):** Typically 0.5mA at 25°C.
- **Junction Capacitance (Cj):** Typically 50pF at 0V, 1MHz.
- **Operating Temperature Range:** -65°C to +125°C.

These specifications are based on the standard operating conditions provided by Vishay for the 10BQ030 Schottky diode.

30V 1A Schottky Discrete Diode in a SMB package The 10BQ030 is a Schottky barrier diode manufactured by NXP Semiconductors. Key specifications include:

- **Type**: Schottky barrier diode
- **Package**: SOD-323 (SC-76)
- **Maximum repetitive reverse voltage (V_RRM)**: 30 V
- **Maximum average forward current (I_F(AV))**: 1 A
- **Peak forward surge current (I_FSM)**: 30 A (non-repetitive)
- **Forward voltage (V_F)**: Typically 0.38 V at 1 A
- **Reverse current (I_R)**: Typically 0.5 µA at 30 V
- **Operating junction temperature range (T_J)**: -65°C to +125°C
- **Storage temperature range (T_stg)**: -65°C to +150°C

These specifications are based on NXP's datasheet for the 10BQ030 Schottky diode.

30V 1A Schottky Discrete Diode in a SMB package The part 10BQ030 is a MOSFET manufactured by International Rectifier (IRF). It is an N-channel MOSFET with a voltage rating of 30V and a current rating of 5.7A. The device features a low on-resistance (Rds(on)) of 0.045 ohms, making it suitable for high-efficiency power management applications. It is designed for use in switching applications such as DC-DC converters, motor control, and power management in portable devices. The MOSFET is available in a compact SOT-23 package, which is ideal for space-constrained applications.