ZXT13P20DE6

20V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR The part **ZXT13P20DE6** is manufactured by **ZETEX** (now part of **Diodes Incorporated**). Below are the factual specifications, descriptions, and features:

### **Specifications:**
- **Type:** PNP Bipolar Junction Transistor (BJT)  
- **Package:** SOT-26 (6-pin)  
- **Collector-Base Voltage (VCBO):** -20V  
- **Collector-Emitter Voltage (VCEO):** -20V  
- **Emitter-Base Voltage (VEBO):** -5V  
- **Collector Current (IC):** -500mA (continuous)  
- **Power Dissipation (PD):** 625mW  
- **DC Current Gain (hFE):** 100 (min) @ IC = -100mA, VCE = -5V  
- **Transition Frequency (fT):** 150MHz (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**
The **ZXT13P20DE6** is a **PNP transistor** designed for **general-purpose amplification and switching applications**. It features **low saturation voltage** and **high current gain**, making it suitable for **portable electronics, power management, and signal processing**.

### **Features:**
- **High current gain (hFE)** for improved efficiency  
- **Low saturation voltage** for reduced power loss  
- **Compact SOT-26 package** for space-constrained applications  
- **High transition frequency (fT)** for fast switching  
- **Pb-free and RoHS compliant**  

For exact performance characteristics, refer to the official datasheet from **Diodes Incorporated (formerly ZETEX)**.

20V PNP SILICON LOW SATURATION SWITCHING TRANSISTOR