P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low Input/Output Leakage The DMP2035U-7 is a P-Channel MOSFET manufactured by DIODES. Here are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -4.3A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.4W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 50mΩ (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -0.7V (max)  
- **Package**: SOT-23  

This information is based on the manufacturer's datasheet.

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low Input/Output Leakage The DMP2035U-7 is a P-channel MOSFET manufactured by DIOUES. Here are its key specifications:  

- **Type**: P-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS)**: ±12V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -4.3A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM)**: -17A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 50mΩ (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -0.4V to -1.5V  
- **Package**: SOT-23  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low Input/Output Leakage The DMP2035U-7 is a P-channel MOSFET manufactured by DIDDES. Below are its key specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DS)**: -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±12V  
- **Drain Current (I_D)**: -4.3A  
- **Power Dissipation (P_D)**: 1.25W  
- **On-Resistance (R_DS(on))**: 50mΩ (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th))**: -0.7V (max)  
- **Package**: SOT-23  

This information is based on the DIDDES datasheet for the DMP2035U-7.