ZXMN10A09KTC

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN DPAK The ZXMN10A09KTC is a MOSFET manufactured by DIODES Incorporated. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** DIODES Incorporated  
- **Part Number:** ZXMN10A09KTC  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  
- **Drain-Source Voltage (VDS):** 100V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 10A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 40A  
- **Power Dissipation (PD):** 40W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **Threshold Voltage (VGS(th)):** 2V (min), 4V (max)  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 85mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Total Gate Charge (Qg):** 18nC (typical)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 1000pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 50pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The ZXMN10A09KTC is a high-performance N-channel MOSFET designed for power management applications. It offers low on-resistance and fast switching characteristics, making it suitable for DC-DC converters, motor control, and load switching.  

### **Features:**  
- **Low RDS(on)** for reduced conduction losses  
- **Fast switching speed** for improved efficiency  
- **High current handling capability** (10A continuous, 40A pulsed)  
- **Avalanche energy specified** for ruggedness  
- **Lead-free and RoHS compliant**  
- **Optimized for high-frequency switching applications**  

This information is based on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET IN DPAK