ZVP3306F

SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET The part **ZVP3306F** is a P-Channel MOSFET manufactured by **FAIRCHILD**. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-Channel Enhancement Mode MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -60V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -1.7A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -6.8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = -10V, I_D = -1.7A  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 45pF (typical)  
- **Output Capacitance (C_oss):** 15pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (C_rss):** 5pF (typical)  
- **Turn-On Delay Time (t_d(on)):** 10ns (typical)  
- **Rise Time (t_r):** 30ns (typical)  
- **Turn-Off Delay Time (t_d(off)):** 50ns (typical)  
- **Fall Time (t_f):** 20ns (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Description:**  
The **ZVP3306F** is a P-Channel MOSFET designed for low-power switching applications. It features a low threshold voltage and moderate on-resistance, making it suitable for use in battery-powered circuits, load switching, and signal amplification.  

### **Features:**  
- **Low Threshold Voltage** (enhancement mode operation)  
- **Fast Switching Speed**  
- **Low Input Capacitance**  
- **High Input Impedance**  
- **SOT-23 Package** (compact surface-mount design)  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet for the **ZVP3306F** by **FAIRCHILD**.

SOT23 P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE VERTICAL DMOS FET