N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors The VN2222LM is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics. Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 0.8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 3.2A  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.4W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) to 2.5V (max)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions:**  
The VN2222LM is a monolithic N-channel enhancement-mode vertical DMOS FET designed for low-voltage, high-speed switching applications. It is housed in a small SOT-23 package, making it suitable for space-constrained designs.  

### **Features:**  
- Low threshold voltage for compatibility with logic-level signals  
- Fast switching speed  
- ESD protection  
- High input impedance  
- Low power drive requirement  
- Avalanche ruggedness  

This information is based on the manufacturer's datasheet. For detailed specifications, refer to STMicroelectronics' official documentation.

N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors The VN2222LM is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (ST). Below are the factual details from Ic-phoenix technical data files:

### **Manufacturer:**  
STMicroelectronics (ST)  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 1.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 5A  
- **Power Dissipation (P_D):** 2.5W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.8Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V to 2.5V  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions:**  
The VN2222LM is a single N-channel MOSFET designed for low-voltage, high-speed switching applications. It is suitable for power management, load switching, and motor control in automotive and industrial applications.  

### **Features:**  
- Low threshold voltage for compatibility with logic-level signals  
- Fast switching speed  
- Low on-resistance  
- ESD protection  
- AEC-Q101 qualified (for automotive applications)  

This information is based on the manufacturer's datasheet and product documentation.

N-Channel Enhancement-Mode MOSFET Transistors The VN2222LM is a power MOSFET manufactured by STMicroelectronics (ON Semiconductor).  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 0.8A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** 3.2A  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.4W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.5Ω (max) at V_GS = 10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** 1V (min) to 2.5V (max)  
- **Package:** SOT-23  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for low-voltage, high-speed switching applications.  
- Low threshold voltage for compatibility with logic-level signals.  
- Fast switching speed for efficient performance.  
- ESD protection for improved reliability.  
- Suitable for power management, motor control, and DC-DC converters.  

This information is based on the manufacturer's datasheet.