NECs W SINGLE CONTROL L/ S-BAND SPDT SWITCH The **UPG2012TK-E2** is a **dual P-channel MOSFET** manufactured by **NEC (Renesas Electronics Corporation)**. Below are its specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -20V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±12V  
- **Drain Current (I_D):** -4.0A (per channel)  
- **Power Dissipation (P_D):** 1.5W (per channel)  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.12Ω (max) at V_GS = -4.5V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -0.4V to -1.5V  
- **Package:** SOP-8 (Small Outline Package)  

### **Descriptions:**  
- The **UPG2012TK-E2** is designed for **low-voltage, high-efficiency switching applications**.  
- It integrates **two P-channel MOSFETs** in a single package, saving board space.  
- Suitable for **power management, load switching, and battery protection circuits**.  

### **Features:**  
- **Low on-resistance (R_DS(on))** for reduced power loss.  
- **Compact SOP-8 package** for space-saving designs.  
- **High-speed switching performance**.  
- **ESD protection** for improved reliability.  
- **RoHS compliant**.  

This information is provided based on the manufacturer's datasheet and technical documentation. For detailed electrical characteristics and application circuits, refer to the official NEC (Renesas) datasheet.

NECs W SINGLE CONTROL L/ S-BAND SPDT SWITCH