L-BAND SPDT SWITCH The UPG155TB-E3 is a P-channel MOSFET manufactured by NEC. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** NEC  
- **Part Number:** UPG155TB-E3  
- **Transistor Type:** P-Channel MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -5.5A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -22A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 0.055Ω (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  
- **Input Capacitance (C_iss):** 600pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-252 (DPAK)  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-efficiency power switching applications.  
- Low on-resistance (R_DS(on)) for reduced conduction losses.  
- Fast switching performance suitable for DC-DC converters, power management, and motor control.  
- Robust construction with a wide operating temperature range.  
- Lead-free and RoHS compliant.  

This information is strictly based on the manufacturer's datasheet. For detailed application guidelines, refer to NEC's official documentation.

L-BAND SPDT SWITCH