### **Manufacturer:** NEC  
### **Part Number:** UPG103B  

#### **Specifications:**  
- **Type:** RF Transistor  
- **Material:** Silicon (Si)  
- **Polarity:** NPN  
- **Maximum Power Dissipation (Pc):** 1.5 W  
- **Collector-Base Voltage (Vcb):** 30 V  
- **Collector-Emitter Voltage (Vce):** 20 V  
- **Emitter-Base Voltage (Veb):** 3 V  
- **Collector Current (Ic):** 1 A  
- **Transition Frequency (ft):** 500 MHz  
- **Gain (hFE):** 40-200  
- **Package:** TO-92  

#### **Descriptions:**  
- Designed for high-frequency amplification in RF applications.  
- Suitable for low-power RF amplifiers and oscillator circuits.  

#### **Features:**  
- High transition frequency (500 MHz).  
- Low noise performance.  
- Reliable NPN silicon construction.  
- Compact TO-92 package for easy integration.  

This information is based solely on the available knowledge base. Let me know if you need further details.