Pch enhancement-type MOS FET (On-chip schottky barrier diode(SBD)) The part **UPA507TE-T1** is manufactured by **NEC**. Below are the specifications, descriptions, and features based on factual information:  

### **Manufacturer:** NEC  
### **Part Number:** UPA507TE-T1  

#### **Descriptions & Features:**  
1. **Type:** P-Channel MOSFET  
2. **Voltage Rating:** -30V (Drain-Source Voltage, VDS)  
3. **Current Rating:** -5.0A (Drain Current, ID)  
4. **On-Resistance (RDS(on)):** 80mΩ (max) at VGS = -10V  
5. **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
6. **Power Dissipation (PD):** 1.5W  
7. **Package:** SOP-8 (Small Outline Package)  
8. **Applications:** Power management, load switching, and DC-DC conversion.  

#### **Key Features:**  
- Low on-resistance for efficient power handling.  
- Fast switching performance.  
- Compact SOP-8 package for space-saving designs.  

For further details, refer to the official NEC datasheet.