P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low Input/Output Leakage The **DMP3098L-7** is a P-channel enhancement-mode power MOSFET designed for high-efficiency switching applications. With a low on-resistance (R_DS(on)) and a compact SOT-23 package, this component is well-suited for power management in portable electronics, battery protection circuits, and load-switching systems.  

Featuring a drain-source voltage (V_DS) of -30V and a continuous drain current (I_D) of -4.3A, the DMP3098L-7 offers reliable performance in low-voltage environments. Its fast switching characteristics and low gate charge enhance energy efficiency, making it ideal for applications where power conservation is critical.  

The MOSFET's robust construction ensures thermal stability and durability under typical operating conditions. Additionally, its small form factor allows for space-efficient PCB designs, catering to modern miniaturized electronic devices. Engineers often select the DMP3098L-7 for its balance of performance, cost-effectiveness, and ease of integration into various circuit designs.  

Whether used in power supplies, motor control, or DC-DC converters, the DMP3098L-7 provides a dependable solution for managing power distribution with minimal losses. Its specifications make it a versatile choice for both consumer and industrial applications requiring efficient power switching.

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Low Input/Output Leakage The part DMP3098L-7 is manufactured by DIODES. It is a P-Channel MOSFET with the following specifications:

- **Drain-Source Voltage (V_DSS)**: -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D)**: -5.3A  
- **R_DS(ON) (Max)**: 45mΩ at V_GS = -10V  
- **Gate-Source Voltage (V_GS)**: ±20V  
- **Power Dissipation (P_D)**: 2.5W  
- **Operating Junction Temperature (T_J)**: -55°C to +150°C  
- **Package**: SOT-23  

These specifications are based on the manufacturer's datasheet.