MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR The part **UPA2762UGR** is manufactured by **Renesas Electronics**. Below are its specifications, descriptions, and features based on available data:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Renesas Electronics  
- **Type:** Dual P-Channel MOSFET  
- **Package:** SSOP8  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Gate-Source Voltage (V_GSS):** ±20V  
- **Drain Current (I_D):** -6.5A (per channel)  
- **Power Dissipation (P_D):** 2W (per channel)  
- **On-Resistance (R_DS(ON)):** 50mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1V to -3V  

### **Descriptions:**  
- The **UPA2762UGR** is a dual P-channel MOSFET designed for power management applications.  
- It is optimized for low on-resistance and high-speed switching.  
- Suitable for load switching, battery protection, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low On-Resistance:** Ensures minimal power loss.  
- **High-Speed Switching:** Improves efficiency in power applications.  
- **Dual-Channel Design:** Allows compact circuit designs.  
- **SSOP8 Package:** Small footprint for space-constrained applications.  
- **Logic-Level Compatible:** Can be driven by low-voltage control signals.  

For exact application details, refer to the official **Renesas datasheet**.

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR The part **UPA2762UGR** is manufactured by **NEC**.  

### **Specifications:**  
- **Type:** Dual N-channel MOSFET  
- **Configuration:** Common-drain  
- **Package:** SOP-8  

### **Descriptions and Features:**  
- **Dual N-channel MOSFET** designed for switching applications.  
- **Common-drain configuration** allows for efficient circuit design.  
- **SOP-8 package** provides compact and space-saving mounting.  
- Suitable for **low-voltage, high-speed switching** applications.  

For detailed electrical characteristics, refer to the official NEC datasheet.