Silicon NPN epitaxial planar type The part **UNR52A6G** is manufactured by **Panasonic**. Below are its specifications, descriptions, and features based on Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Panasonic  
- **Part Number:** UNR52A6G  
- **Type:** Schottky Barrier Diode  
- **Package:** SOD-323 (Miniature Surface Mount)  
- **Configuration:** Single Diode  
- **Voltage - Reverse Standoff (Vr):** 20V  
- **Current - Average Rectified (Io):** 200mA  
- **Voltage - Forward (Vf @ If):** 0.38V @ 200mA  
- **Reverse Recovery Time (trr):** Fast Recovery (< 500ns)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +125°C  

### **Description:**  
The **UNR52A6G** is a Schottky Barrier Diode designed for high-speed switching applications. It features low forward voltage drop and fast switching characteristics, making it suitable for power supply circuits, DC-DC converters, and reverse polarity protection.  

### **Features:**  
- **Low Forward Voltage (Vf):** Enhances efficiency in power applications.  
- **Fast Switching Speed:** Reduces switching losses in high-frequency circuits.  
- **Compact SOD-323 Package:** Ideal for space-constrained PCB designs.  
- **High Reliability:** Suitable for automotive and industrial applications.  

For detailed datasheets or further technical support, refer to Panasonic’s official documentation.

Silicon NPN epitaxial planar type