Field Effect Transistor Silicon P, N Channel MOS Type (P Channel U-MOSII/N Channel U-MOSII) Motor Drive Notebook PC Portable Machines and Tools Here are the factual details about the **TPC8403** manufactured by **TOSHIBA** from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** PNP Transistor  
- **Maximum Collector-Base Voltage (V_CB):** -30V  
- **Maximum Collector-Emitter Voltage (V_CE):** -30V  
- **Maximum Emitter-Base Voltage (V_EB):** -5V  
- **Maximum Collector Current (I_C):** -3A  
- **Maximum Power Dissipation (P_C):** 30W  
- **DC Current Gain (h_FE):** 60 to 320  
- **Operating Junction Temperature (T_j):** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions & Features:**  
- A **PNP silicon epitaxial planar transistor** designed for general-purpose amplification and switching applications.  
- High current capability with a **low saturation voltage**.  
- Suitable for **power amplification** and **driver stages** in electronic circuits.  
- **TO-220 package** ensures good thermal performance and ease of mounting.  

For detailed electrical characteristics, refer to the official **TOSHIBA datasheet**.