Power MOSFET (N-ch dual) The part **TPC8229-H** is manufactured by **Toshiba**. Below are the specifications, descriptions, and features based on the available knowledge:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Part Number:** TPC8229-H  
- **Type:** Power MOSFET  
- **Package:** TO-220F  
- **Polarity:** N-Channel  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** 600V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** 8A  
- **Power Dissipation (P_D):** 30W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±30V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 1.2Ω (typical)  
- **Input Capacitance (C_iss):** 750pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  

### **Descriptions & Features:**  
- Designed for **high-voltage switching applications**.  
- **Low on-resistance** for improved efficiency.  
- **Fast switching speed** for high-frequency applications.  
- **Avalanche energy specified** for reliability in inductive load conditions.  
- **TO-220F package** (isolated type) for better thermal performance.  
- Suitable for **power supplies, motor control, and inverters**.  

This information is strictly based on the available data for **TPC8229-H** from Toshiba.

Power MOSFET (N-ch dual)