Power MOSFET (P-ch single) The TPC8132 is a power MOSFET module manufactured by Toshiba. Here are its key specifications, descriptions, and features:  

### **Specifications:**  
- **Type:** P-channel power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (V_DSS):** -30V  
- **Continuous Drain Current (I_D):** -50A  
- **Pulsed Drain Current (I_DM):** -200A  
- **Power Dissipation (P_D):** 100W  
- **Gate-Source Voltage (V_GS):** ±20V  
- **On-Resistance (R_DS(on)):** 8mΩ (max) at V_GS = -10V  
- **Threshold Voltage (V_GS(th)):** -1.0V to -2.5V  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220SIS  

### **Descriptions:**  
- Designed for high-current switching applications.  
- Low on-resistance for improved efficiency.  
- Suitable for power management in motor control, power supplies, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- **Low R_DS(on):** Enhances power efficiency.  
- **Fast Switching:** Optimized for high-speed operation.  
- **High Current Handling:** Supports up to 50A continuous current.  
- **Avalanche Energy Rated:** Provides robustness in inductive load applications.  
- **Lead-Free & RoHS Compliant:** Meets environmental standards.  

For detailed datasheets, refer to Toshiba’s official documentation.