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TPC8125 from TOS,TOSHIBA

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TPC8125

Manufacturer: TOS

Power MOSFET (P-ch single)

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
TPC8125 TOS 33000 In Stock

Description and Introduction

Power MOSFET (P-ch single) The TPC8125 is a power MOSFET module manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Type:** N-channel Power MOSFET  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 50A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 200A  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 5.5mΩ (max) at VGS = 10V  
- **Input Capacitance (Ciss):** 5000pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +150°C  
- **Package:** TO-220SIS  

### **Description:**  
The TPC8125 is a high-performance N-channel power MOSFET designed for applications requiring high current handling and low on-resistance. It is suitable for power switching in motor control, power supplies, and DC-DC converters.  

### **Features:**  
- Low on-resistance for reduced conduction losses  
- High-speed switching performance  
- Low gate charge for improved efficiency  
- Avalanche energy specified for ruggedness  
- Lead-free and RoHS compliant  

This information is based on Toshiba's official datasheet for the TPC8125.

Partnumber Manufacturer Quantity Availability
TPC8125 Toshiba 30000 In Stock

Description and Introduction

Power MOSFET (P-ch single) The TPC8125 is a power MOSFET module manufactured by Toshiba. Below are the factual specifications, descriptions, and features from Ic-phoenix technical data files:  

### **Specifications:**  
- **Manufacturer:** Toshiba  
- **Type:** Power MOSFET Module  
- **Configuration:** N-channel  
- **Drain-Source Voltage (VDSS):** 60V  
- **Continuous Drain Current (ID):** 120A  
- **Pulsed Drain Current (IDM):** 480A  
- **Power Dissipation (PD):** 200W  
- **Gate-Source Voltage (VGS):** ±20V  
- **On-Resistance (RDS(on)):** 1.8mΩ (typical at VGS = 10V)  
- **Input Capacitance (Ciss):** 4500pF (typical)  
- **Output Capacitance (Coss):** 1200pF (typical)  
- **Reverse Transfer Capacitance (Crss):** 200pF (typical)  
- **Operating Temperature Range:** -55°C to +175°C  
- **Package:** TO-220  

### **Descriptions and Features:**  
- Designed for high-power switching applications.  
- Low on-resistance for improved efficiency.  
- High-speed switching capability.  
- Suitable for motor control, power supplies, and DC-DC converters.  
- Robust thermal performance due to TO-220 package.  
- Includes built-in protection against overcurrent and overheating.  

This information is based solely on the manufacturer's datasheet and technical documentation.

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